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IXFE 23N100
IXFE 24N100
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
ISOPLUS-227 B
g fs
C iss
C oss
C rss
t d(on)
t r
V DS = 10 V; I D = I T , Note 2
V GS = 0 V, V DS = 25 V, f = 1 MHz
V GS = 10 V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = I T
15
22
7000
750
260
35
35
S
pF
pF
pF
ns
ns
t d(off)
t f
Q g(on)
R G
= 1 ? (External),
75
21
250
ns
ns
nC
Q gs
Q gd
R thJC
R thCK
V GS = 10 V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = I T
55
135
0.07
0.25
nC
nC
K/W
K/W
Source-Drain Diode
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
Characteristic Values
Symbol
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
I S
I SM
V GS = 0
Repetitive;
pulse width limited by T JM
24N100
23N100
24N100
23N100
24
23
96
92
A
A
A
A
V SD
I F = I S , V GS = 0 V,
Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle d ≤ 2 %
1.5
V
t rr
Q RM
I RM
I F = I S , -di/dt = 100 A/ μ s, V R = 100 V
1.0
8
250
ns
μ C
A
Please see IXFN24N100 data
sheet for characteristic curves.
Notes: 1. Pulse width limited by T JM.
2. Pulse test, t ≤ 300 ms, duty cycle d ≤ 2%.
3. I T Test current:
24N100: I T = 12 A
23N100: I T = 11.5 A
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
6,306,728B1
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